极紫外光刻研究
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极紫外光刻研究
发布时间:2017-08-04    栏目类别:极紫外光刻研究

       过去几十年中,半导体芯片技术的快速发展主要依赖于激光光刻技术。这一技术极大地推动了半导体器件以及集成电路的发展。而高强度的短波长光源是推动半导体器件向更小尺寸发展的关键,但是极紫外波长区域这样的光源并不容易得到。大连相干光源将提供最低50nm波长的极紫外光源,可用于EUV光刻技术的研究。而更高重复频率的极紫外自由电子激光技术的发展也有希望为未来更小尺寸的光刻技术的发展提供可靠的光源。


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